История изменений
Исправление pfg, (текущая версия) :
ну дык конечно. eeprom в среднем в два раза дороже такой же ячейки flash.
в процессе оптимизации структуры, кто-то из инженеров тошибы придумал, что можно объединить элемент записи «1» нескольких ячеек памяти общим электродом и выкинуть из двух транзисторов ячейки один, удешевление в два раза !! так и появился флеш.
к примеру в некоторых микроконтроллерах стоят - несколько мегабайт флеш-памяти для прошивки и полкилобайта, максимум парочка килобайт eeprom для записи независимых от питания параметров.
делаются и в виде стандартных микросхем памяти с spi-интерфейсом. но редко применяются.
забивание FF лишь следствием вышеописанного процесса.
в принципе можно было кинуть чутка инверторов в схему управления памятью и забивалось бы «00», но привыкли к FF.
кстати из всех структур флешей используется практически только NAND, ибо их структура на один проводничок меньше, а значит дешевле!! и т.д.
Исправление pfg, :
ну дык конечно. eeprom в среднем в два раза дороже такой же ячейки flash.
в процессе оптимизации структуры, кто-то из инженеров тошибы придумал, что можно объединить элемент записи «1» нескольких ячеек памяти общим электродом и выкинуть из двух транзисторов ячейки один, удешевление в два раза !! так и появился флеш.
к примеру в некоторых микроконтроллерах стоят - несколько мегабайт флеш-памяти для прошивки и полкилобайта, максимум парочка килобайт eeprom для записи независимых от питания параметров.
делаются и в виде стандартных микросхем памяти с spi-интерфейсом. но редко применяются.
забивание FF лишь следствием вышеописанного процесса.
в принципе можно было кинуть чутка инверторов в схему управления памятью и забивалось бы «00», но привыкли к FF.
кстати из всех структур флешей используется в основном NAND, ибо их структура на один проводничок меньше, а значит дешевле и т.д.
Исходная версия pfg, :
ну дык конечно. eeprom в среднем в два раза дороже такой же ячейки flash.
в процессе оптимизации структуры, кто-то из инженеров тошибы придумал, что можно объединить элемент записи «1» нескольких ячеек памяти общим электродом и выкинуть из двух транзисторов ячейки один, удешевление в два раза !! так и появился флеш.
к примеру в некоторых микроконтроллерах стоят - несколько мегабайт флеш-памяти для прошивки и несколько килобайт eeprom для записи параметров.
делаются и в виде стандартных микросхем памяти с spi-интерфейсом. но редко используются.
забивание FF лишь следствием вышеописанного процесса.
в принципе можно было кинуть чутка инверторов в схему управления памятью и забивалось бы «00», но привыкли к FF.
кстати из всех флешей используется в основном NAND ибо их структура на один проводничок меньше, а значит дешевле и т.д.