История изменений

Как его правильно охлаждать?

1. Использовать в безопасных зонах (см. Fig 2, 4, 6), а не в предельных режимах. Или параллелить. Или брать еще более мощные транзисторы.

2. Повышать эффективность отвода любыми известными методами. Можно сверху наляпать теплоотвод. Видел, как иногда крепят медные пластины поверх SMD? Но там имей в виду, что верхняя часть корпуса плохо связана с кристаллом. То есть тепловое сопротивление кристалл-верхняя стенка корпуса D²PAK велика. С кристаллом связана нижняя подложка, которая подпаивается к плате. Поэтому надо повышать эффективность отвода в плату и дальше.

Если ты греешь транзистор, то сопротивление Rds повышается от температуры. Ты, наверное, еще заметил, но Rds max дано для случая T_case=25°C, а не для T_case=100°C. Если судить по таблице, то для T_c=25°C ток 13 А (это край, это вообще нельзя допускать, это absolute maximum), а для T_c=100°C уже 8.2 A (см. таблицу absolute max ratings). Иначе перегрев кристалла выше 150°C. Снизу как раз приписочка: это значение ограничено максимальной температурой кристалла. Если ты на разогретый до 100°C транзистор приложишь такую разность потенциалов, что пойдет ток 11 A, то ему крышка - сгорит. Поэтому твоя задача - удерживать T_case и это будет работа у предела смерти транзистора! Вот самолеты и падают. :) Может, еще до T_case=60°C (у уме линейно интерполировал, но там явно зависимость нелинейная) выдержит такой ток, но тоже не факт. Считай, что тебе надо фактически держать комнатную температуру корпуса в таком предельном режиме.

Как его правильно охлаждать?

1. Использовать в безопасных зонах (см. Fig 2, 4, 6), а не в предельных режимах. Или параллелить. Или брать еще более мощные транзисторы.

2. Повышать эффективность отвода любыми известными методами. Можно сверху наляпать теплоотвод. Видел, как иногда крепят медные пластины поверх SMD? Но там имей в виду, что верхняя часть корпуса плохо связана с кристаллом. То есть тепловое сопротивление кристалл-верхняя стенка корпуса D²PAK велика. С кристаллом связана нижняя подложка, которая подпаивается к плате. Поэтому надо повышать эффективность отвода в плату и дальше.

Если ты греешь транзистор, то сопротивление Rds повышается от температуры. Ты, наверное, еще заметил, но Rds max дано для случая T_case=25°C, а не для T_case=100°C. Если судить по таблице, то для T_c=25°C ток 13 А (это край, это вообще нельзя допускать, это absolute maximum), а для T_c=100°C уже 8.2 A (см. таблицу absolute max ratings). Иначе перегрев кристалла выше 150°C. Снизу как раз приписочка: это значение ограничено максимальной температурой кристалла. Если ты на разогретый до 100°C транзистор приложишь разность потенциалов, что пойдет ток 11 A, то ему крышка - сгорит. Поэтому твоя задача - удерживать T_case и это будет работа у предела смерти транзистора! Вот самолеты и падают. :) Может, еще до T_case=60°C (у уме линейно интерполировал, но там явно зависимость нелинейная) выдержит такой ток, но тоже не факт. Считай, что тебе надо фактически держать комнатную температуру корпуса в таком предельном режиме.

Как его правильно охлаждать?

1. Использовать в безопасных зонах (см. Fig 2, 4, 6), а не в предельных режимах. Или параллелить. Или брать еще более мощные транзисторы.

2. Повышать эффективность отвода любыми известными методами. Можно сверху наляпать теплоотвод. Видел, как иногда крепят медные пластины поверх SMD? Но там имей в виду, что верхняя часть корпуса плохо связана с кристаллом. То есть тепловое сопротивление кристалл-верхняя стенка корпуса D²PAK велика. С кристаллом связана нижняя подложка, которая подпаивается к плате. Поэтому надо повышать эффективность отвода в плату и дальше.

Если ты греешь транзистор, то сопротивление Rds повышается от температуры. Ты, наверное, еще заметил, но Rds max дано для случая T_case=25°C, а не для T_case=100°C. Если судить по таблице, то для T_c=25°C ток 13 А (это край, это вообще нельзя допускать, это absolute maximum), а для T_c=100°C уже 8.2 A (см. таблицу absolute max/ ratings). Иначе - перегрев кристалла выше 150°C. Снизу как раз приписочка: это значение ограничено максимальной температурой кристалла. Если ты на разогретый до 100°C транзистор приложишь разность потенциалов, что пойдет ток 11 A, то ему крышка - сгорит. Поэтому твоя задача - удерживать T_case и это будет работа у предела смерти транзистора! Вот самолеты и падают. :) Может, еще до T_case=60°C (у уме линейно интерполировал, но там явно зависимость нелинейная) выдержит такой ток, но тоже не факт. Считай, что тебе надо фактически держать комнатную температуру корпуса в таком предельном режиме.

Как его правильно охлаждать?

1. Использовать в безопасных зонах (см. Fig 2, 4, 6), а не в предельных режимах. Или параллелить. Или брать еще более мощные транзисторы.

2. Повышать эффективность отвода любыми известными методами. Можно сверху наляпать теплоотвод. Видел, как иногда крепят медные пластины поверх SMD? Но там имей в виду, что верхняя часть корпуса плохо связана с кристаллом. То есть тепловое сопротивление кристалл-верхняя стенка корпуса D²PAK велика. С кристаллом связана нижняя подложка, которая подпаивается к плате. Поэтом надо повышать эффективность отвода в плату и дальше.

Если ты греешь транзистор, то сопротивление Rds повышается от температуры. Ты, наверное, еще заметил, но Rds max дано для случая T_case=25°C, а не для T_case=100°C. Если судить по таблице, то для T_c=25°C ток 13 А (это край, это вообще нельзя допускать, это absolute maximum), а для T_c=100°C уже 8.2 A (см. таблицу absolute max/ ratings). Иначе - перегрев кристалла выше 150°C. Снизу как раз приписочка: это значение ограничено максимальной температурой кристалла. Если ты на разогретый до 100°C транзистор приложишь разность потенциалов, что пойдет ток 11 A, то ему крышка - сгорит. Поэтому твоя задача - удерживать T_case и это будет работа у предела смерти транзистора! Вот самолеты и падают. :) Может, еще до T_case=60°C (у уме линейно интерполировал, но там явно зависимость нелинейная) выдержит такой ток, но тоже не факт. Считай, что тебе надо фактически держать комнатную температуру корпуса в таком предельном режиме.