История изменений

Повышать эффективность отвода любыми известными методами. Можно сверху наляпать теплоотвод. Видел, как иногда крепят медные пластины поверх SMD?

Примерно это имел в виду: http://www.chinaicmart.com/uploadfile/200951712150895.gif

Еще не упомнул, что полигон можешь прикрутить (прислонить) на корпус металлический или массивную металлическую деталь.

Резюмируя: чем выше ты ток подаешь, тем большую мощность надо рассеивать. Это понятно. Например, твой Rds=0.286, если ты посмотришь даташит, был дан для тока 6.x А (точно забыл, лень опять даташит искать). Для большего тока Rds может оказаться больше, так как разогрев происходит и Rds растет. И вот если так, то для этого 6.x^2*0.285 где-то получается 12 Вт. Для поддержания температуры кристалла 150°C (крайний случай, такой температуры при таком токе не будет) при температуре окр. среды 40 °C (надо исходить из жары), то получается, что нужен теплоотвод (150-40)/12=9.1 °C/Вт (junction-amb). Вычитаем 1.36 °C/Вт (junction-case) и получаем 7.74 °C/Вт (case-ambient). Одного дюйма на плате маловато. Можно увеличить полигон, можно отверстий насверлить, сделать полигон и сверху, и снизу (эффективная площадь вырастет). Отверстия металлизировать и натыкать их почаще решеткой (это у нас heat pipes). Маской полигоны покрывать на надо.

При увелчении тока все увеличивается, а отвод должен быть еще более эффективным.

Повышать эффективность отвода любыми известными методами. Можно сверху наляпать теплоотвод. Видел, как иногда крепят медные пластины поверх SMD?

Примерно это имел в виду: http://www.chinaicmart.com/uploadfile/200951712150895.gif

Еще не упомнул, что полигон можешь прикрутить (прислонить) на корпус металлический или массивную металлическую деталь.

Резюмируя: чем выше ты ток подаешь, тем большую мощность надо рассеивать. Это понятно. Например, твой Rds=0.286, если ты посмотришь даташит, был дан для тока 6.x А (точно забыл, лень опять даташит искать). Для большего тока Rds может оказаться больше, так как разогрев происходит и Rds растет. И вот если так, то для этого 6.x^2*0.285 где-то получается 12 Вт. Для поддержания температуры кристалла 150°C (крайний случай, такой температуры при таком токе не будет) при температуре окр. среды 40 °C (надо исходить из жары), то получается, что нужен теплоотвод (150-40)/12=9.1 °C/Вт (junction-amb). Вычитаем 1.36 °C/Вт (junction-case) и получаем 7.74 °C/Вт (case-ambient). Одного дюйма на плате маловато. Можно увеличить полигон, можно отверстий насверлить, сделать полигон и сверху, и снизу. Отверстия металлизировать и натыкать их почаще решеткой (это у нас heat pipes). Маской полигоны покрывать на надо.

При увелчении тока все увеличивается, а отвод должен быть еще более эффективным.

Повышать эффективность отвода любыми известными методами. Можно сверху наляпать теплоотвод. Видел, как иногда крепят медные пластины поверх SMD?

Примерно это имел в виду: http://www.chinaicmart.com/uploadfile/200951712150895.gif

Еще не упомнул, что полигон можешь прикрутить (прислонить) на корпус металлический или массивную металлическую деталь.

Резюмируя: чем выше ты ток подаешь, тем большую мощность надо рассеивать. Это понятно. Например, твой Rds=0.286, если ты посмотришь даташит, был дан для тока 6.x А (точно забыл, лень опять даташит искать). Для большего тока Rds может оказаться больше, так как разогрев происходит и Rds растет. И вот если так, то для этого 6.x^2*0.285 где-то получается 12 Вт. Для поддержания температуры кристалла 150°C (крайний случай, такой температуры при таком токе не будет) при температуре окр. среды 40 °C (надо исходить из жары), то получается, что нужен теплоотвод (150-40)/12=9.1 °C/Вт (junction-amb). Вычитаем 1.36 °C/Вт (junction-case) и получаем 7.74 °C/Вт (case-ambient). Одного дюйма на плате маловато. Можно увеличить полигон, можно отверстий насверлить, сделать полигон и сверху, и снизу. Отверстия металлизировать и натыкать их почаще решеткой (это у нас heat pipes). Маской полигоны покрывать.

При увелчении тока все увеличивается, а отвод должен быть еще более эффективным.