История изменений
Исправление timdorohin, (текущая версия) :
В мегагерцовых ферритах меандр похож на синус
Да и в килогерцовых специально делают зазор между 2 половинками феррита для сглаживания углов меандра (увеличение индукции насыщения)
Сначала хотел сделать фейспалм, но потом понял что тебя не туда занесло. Напряжение на трансформаторе от зазора независит. Ты сейчас говоришь про кривую насыщения и ее сглаживание. От ее наклона и скругления потери зависят очень мало, они все-равно вычисляются как B*f*V,однако введение зазора _может_ уменьшить неоднородность поля,соответственно не будет «горячих зон»
...который начинает «тупить» аналогично блокингу на полудохлых батарейках с внутренним сопротивлением >100 Ом
Все что угодно будет тупить от такого ESR, на нем же все напряжение сядет при 10мА. Но у меня заботливые китайцы не пожалели поставить электролит 100мкФ 6.3В и это нивелировало импульсные просадки на внутреннем сопротивлении источника.
Исправление timdorohin, :
В мегагерцовых ферритах меандр похож на синус
Да и в килогерцовых специально делают зазор между 2 половинками феррита для сглаживания углов меандра (увеличение индукции насыщения)
Сначала хотел сделать фейспалм, но потом понял что тебя не туда занесло. Ты сейчас говоришь про кривую насыщения и ее сглаживание. От ее наклона и скругления потери зависят очень мало, они все-равно вычисляются как B*f*V,однако введение зазора _может_ уменьшить неоднородность поля,соответственно не будет «горячих зон»
...который начинает «тупить» аналогично блокингу на полудохлых батарейках с внутренним сопротивлением >100 Ом
Все что угодно будет тупить от такого ESR, на нем же все напряжение сядет при 10мА. Но у меня заботливые китайцы не пожалели поставить электролит 100мкФ 6.3В и это нивелировало импульсные просадки на внутреннем сопротивлении источника.
Исходная версия timdorohin, :
В мегагерцовых ферритах меандр похож на синус
Да и в килогерцовых специально делают зазор между 2 половинками феррита для сглаживания углов меандра (увеличение индукции насыщения)
Сначала хотел сделать фейспалм, но потом понял что тебя не туда занесло. Ты сейчас говоришь про кривую насыщения и ее сглаживание. От ее наклона и скругления потери зависят очень мало, они все-равно вычисляются как B*f*V,однако введение зазора _может_ уменьшить неоднородность поля.
...который начинает «тупить» аналогично блокингу на полудохлых батарейках с внутренним сопротивлением >100 Ом
Все что угодно будет тупить от такого ESR, на нем же все напряжение сядет при 10мА. Но у меня заботливые китайцы не пожалели поставить электролит 100мкФ 6.3В и это нивелировало импульсные просадки на внутреннем сопротивлении источника.