История изменений
Исправление greenman, (текущая версия) :
nand
Запись во флеш-память — это не просто зарядка конденсатора, это инжекция горячих носителей. Поэтому эта память «изнашивается».
https://q-lab.ru/print/ru_flash.htm
Деградация
Причиной деградации может быть как появление и рост дефектов кристаллической решетки диэлектрика (дислокаций и разрывов Si-O связей), так и диффузия ионов, ускоряющаяся при повышении температуры из-за локальных перегревов в областях повышенного тока. Эти процессы приводят к появлению «ловушек» для заряда в слое диэлектрика, и в результате появляется так называемый «ток утечки, вызванный перегрузкой», stress-induced leakage current (SILC), который вносит вклад как в надежность хранения информации ячейкой (время сохранения заряда на плавающем затворе), так и в скорость программирования и стирания.
Исходная версия greenman, :
nand
Запись во флеш-память — это не просто зарядка конденсатора, это инжекция горячих носителей. Поэтому эта память «изнашивается».