LINUX.ORG.RU

TSMC начинает монтаж оборудования для производства 10-нм изделий

Xilinx утверждает, что TSMC начнёт выпуск 7-нм FPGA в 2017 году

предела нет, имхо. разве что, когда атомы и молекулы, протоны, электроны и нейтроны люди научят выстраивать в ряд как им надо, в соответствии с 0 и 1, вот пожалуй тогда и будет достигнут предел. =)

Spoofing ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Spoofing

К стати есть ещё один способ повышения быстродействия и надёжности разом,
состоит он в замен кремния на сапфир.
Вроде как такие микросхемы могут иметь рабочею температуру в несколько сот градусов по Цельсию

torvn77 ★★★★★
()
Последнее исправление: torvn77 (всего исправлений: 2)

Диаметр атома кремния примерно 1/4 нм. Очевидно, меньший техпроцесс для кремния бесполезен.

Sadler ★★★
()
Ответ на: комментарий от torvn77

ещё один способ повышения быстродействия и надёжности разом,состоит он в замен кремния на сапфир.

Все равно что решать проблему пробок и безопасности заменой бюджетных автомобилей на автомобили класса люкс.

Кремний произвел революцию в электронной индустрии - легко очистить, легко нарезать, на планете его завались и стоит он жалкие копейки, благодаря ему мы имеем доступную дешевую электронику. Сапфир же как использовали так и используют во всяких радиационно стойких решениях для космоса и оборонки - там где его цена не сильно выделяется на фоне всего остального.

Ну и главный вопрос - так ли важно сейчас быстродействие? По мне так это не та проблема которой сегодня надо уделять внимание, и потом будущее на мой взгляд давно предопределено - оно в гетероструктурах на органике, и в нем сапфиру (да и другим хорошо_забытым_старым/новым материалам тоже) места не нашлось.

uin ★★★
()
Последнее исправление: uin (всего исправлений: 1)
Ответ на: комментарий от Harald

наверное это и есть последний

Лет 20 наверное это уже слышу

mbivanyuk ★★★★★
()

Гыыы, так это у физиков надо спрашивать.
Где-то читал, что после 10нм будет еще уменьшение, а дальше фсёёё, физики не разрешают.

Deleted
()

Неважно. Возьмут потом фотонные кристаллы и будут чипы на них.

Quasar ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от fang

Это не так. У математиков вообще нет точки зрения на плотность элементов в микросхемах. И было бы странно если бы таковая оказалась.

Stahl ★★☆
()
Ответ на: комментарий от torvn77

Начинает проявляться квантовая физика и портит все результаты.

ranka-lee
()
Ответ на: комментарий от next_time

из этого кремния ещё нужно транзистор собрать

Это очевидно. Но мы ведь не знаем, вдруг научатся генерить массивы атомов кремния, где плотность транзисторов приближается к числу атомов. Потому вот такая нижняя оценка. Для верности можно даже взять диаметр не кремния, а водорода, чтобы исключить возможность смены материала для продолжения миниатюризации.

Sadler ★★★
()
Ответ на: комментарий от Sadler

Цена вопроса + когда научатся? + а как же пробой? + еще много «но» про атомы.

Если хочется менять на атомы, то надо менять само понятие «транзистор». Это уже будет совсем другая штука и, мне кажется, вопрос у ТС именно о современных процессорах.

Quickern ★★
()
Последнее исправление: Quickern (всего исправлений: 1)
Ответ на: комментарий от Sadler

Диаметр атома кремния примерно 1/4 нм

132пм, примерно 1/8нм
Только диаметр атома здесь ни при чём, смотреть надо на период решётки
5.4307Å или 0.543нм, то есть примерно 1/2нм
Соответственно на 14нм приходится примерно 26 атомных слоёв.

imul ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Sadler

На диаметры и радиусы пофиг. У тебя кремний не в газообразном состоянии. Прочти ещё раз про период решётки. Если с первого раза не понял, то читай до тех пор, пока не поймёшь, что ты с напильником одного поля ягодки.

imul ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от imul

Ерунду писал ты, причём уровня напильника.

Ерунду пишешь ты. Я лишь говорю о моём видении возможности развития технологии в будущем, без конкретики.

Sadler ★★★
()
Ответ на: комментарий от imul

На диаметры и радиусы пофиг. У тебя кремний не в газообразном состоянии. Прочти ещё раз про период решётки. Если с первого раза не понял, то читай до тех пор, пока не поймёшь, что ты с напильником одного поля ягодки.

Не будь дебилом, пойми, что есть разные оценки величины снизу. И моя тоже имеет право на существование (и куда точнее, скажем, представленной оценки из планковской длины). Так что иди ты лесом, шибко умный неадекват.

Sadler ★★★
()

В теории, одноатомный транзистор возможен, это будет 180 пм. Но на практике, я думаю квантовые компы случатся раньше.

morse ★★★★★
()

Исчерпают техпроцесс, кремниевый CMOS жевать бесконечно не получится, и будут старые-новые материалы и старые-новые схемы. ЭСЛ, GaAs, SiGe... Сейчас да, дорого. Когда будет массово, будет дёшево.

yu-boot ★★★★★
()

Читал что полупроводниковые свойства не проявляются на одиночных атомах (что не удивительно)

Для устойчивой работы полупроводниковых элементов, нужны десятки, а скорее даже сотни атомов в одном элементе.

Так что предел плотности практически уже достигнут. Как к стати и предел частоты. +/- несколько нанометров и +/- несколкьо сотен мегагерц - это уже не те порядки.

Для частоты например одним из ограничений является скорость света. Грубо говоря, для кристала размером сантиметр на сантиметр, 30 гигагерц - это вообще предел если пренебречь всякими издержками на переключение состояний элементов, на то, что длинна цепей в кристале больше чем размер стороны ну и ещё куча, что знают только инженеры практики в области процессоростроения. А все эти издержки сгоняют из 30 гигагерц в те же 3(обычные рабочие процы) -5 (разогнанные с азотым охлаждение и которые редко даже биос могут загрузить) гигагерц, что мы и имеем сегодня на универсальных процессорах.

Serg_HIS
()
Ответ на: комментарий от dk-

Пару лет назад читал где-то, что на атоме фосфора собрали.

Это еще что, я помню читал что одноатомную динамо-машину собрали. Вот где сила!

morse ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от imul

У тебя знаний никаких нет ни для оценок снизу, ни для тявканья на меня.

Своими тайными знаниями можешь подтереться. А тыкать тебя носом в твоё распухшее ЧСВ — моя прямая обязанность. Как только будут мысли по делу, а не задетое самолюбие, приходи.

Sadler ★★★
()
Ответ на: комментарий от imul

нельзя сделать полупроводник на одном атоме, так что снимать несчего и нечего :)

нужна кристалическая решётка (обязательно).

дырки там всякие - только в решётке получаются.

Serg_HIS
()
Ответ на: комментарий от Sadler

Смешно. Человек без знаний рассуждает о тайных знаниях. Считает, что тыкает кого-то носом, рассуждает о прямых обязанностях.
Омич одним словом, типичный. Не надорвись, «уважаемый».

imul ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от imul

Вот так можно одним постом сагрить шизика. Благо, нечасто на лоре их видно. На этом я, пожалуй, закончу бессмысленное раздувание топика. Всем спасибо за внимание.

Sadler ★★★
()

Читаю сейчас швабру по этой теме как раз: http://habrahabr.ru/company/ua-hosting/blog/259027/

у кремния есть предел, он не позволит уменьшить технологический процесс ниже 10 нм без потери производительности, так заявили инженеры корпорации Intel. Не смотря на все это компания озвучила свои планы на будущее — достичь тех. процесса в 7 нм для своих микрочипов к 2018 году.

Hertz ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от morse

Да чушь. Одного элемента мало по определению транзистора.

dk-
()
Ответ на: комментарий от imul

Извини.

Это я как ответ на шутку про съём информации с атома который нифига не проводник.

А что им объяснять? Могу посоветовать здешним ребятам книгу по физике работы полупроводников только, которую ещё в школе читал.

Если найду как называется кину (она правда ещё советская).

Serg_HIS
()

Прототип одноэлектронного транзистора на основе графена около 10 нм. ©
Исследователи графена считают, что можно сократить размеры квантовой точки и до 1 нм, при этом физические характеристики транзистора не должны измениться.

quickquest ★★★★★
()
Вы не можете добавлять комментарии в эту тему. Тема перемещена в архив.