На ежегодном мероприятии Flash Memory Summit (2019) компания Toshiba представила идею перехода на запись в каждую ячейку памяти NAND-флеш пяти бит данных вместо сегодняшних четырёх. Это потребует записывать в каждую ячейку NAND PLC (penta-level cell) сигнала с 32 уровнями градации вместо 16 уровней для памяти NAND QLC. Надёжность и устойчивость записи серьёзно снизятся, как ожидается с 70 циклов перезаписи для NAND QLC до 35 циклов для NAND PLC (это справедливо для техпроцесса с нормами класса 10 нм и для планарной памяти, не для 3D NAND).
В то же время за счёт перехода на пятибитную ячейку ёмкость флеш-чипов и SSD можно будет «даром» увеличить на 25 %. Например, получив вместо 250-ГБ SSD сразу 320-ГБ. Будет ли это «одноразовый» накопитель? Может быть условно, но зато появятся SSD для архивов по цене хранения данных на жёстких дисках, но с существенно большей скоростью доступа. Впрочем, пока идея выпуска памяти NAND PLC только обсуждается. Если такая память станет реальность, то произойдёт это через два-три года. Не раньше.
Ой, хрень, имхо.
