LINUX.ORG.RU

Новости: Процессор амд зен выйдет очень скоро

 , ,


0

3

Слухи: AMD разработает 7 нм процессор Zen+ к 2019 году

Чтобы составить конкуренцию Intel, компании AMD нужно, чтобы процессоры Zen выиграли в соотношении производительности к энергопотреблению. Возможно, AMD впервые сможет соревноваться с Intel и это произойдет в самом ближайшем будущем.

По новым слухам AMD выпустит Zen лишь в 2019 году, процессор оснастят 4 ядрами, а его TDP будет равна 10 Вт. AMD собирается увеличить показатель IPC (instructions per clock) на 40% по сравнению с предыдущим поколением их процессоров.

Если верить все тем же слухам, то AMD сделает процессоры Zen по 7 нм технологии производства, именно поэтому они обладают столь низким TDP. Это может стать неоспоримым преимуществом против Intel – компания продолжит выпускать процессоры на 14 нм техпроцессе еще 2-3 года.

7 нм чипы от AMD называются Gray Hawk. В следующем году компания собирается выпустить центральные процессоры Raven Ridge и серию графических процессоров Vega, обе новинки будут производиться на 14 нм техпроцессе.

Какой-то желтушный бред. Или предсмертные судороги.

Еще даже 10 нм нигде нет, а эти уже по 7 нм собрались клепать. Тем более не забываем про теоретический предел литографии. Не факт что эти 7 нм вообще когда-нибудь взлетят.

Radius ★★★★
()
Ответ на: комментарий от Radius

10нм уже тестируется.
tsmc собирается собираться выпускать какиее-то мобильные чипы по этому т.п. короче говоря - очень скоро, быстрее чем АМД выпустит Зен.

Не помню на Хоботе/3Д-ньюсе читал, что возможно даже в следующем году. Там же перепечатывали слухи, что Интеля чой-то буксанули с 10нм.

Deleted
()
Ответ на: комментарий от Radius

https://xakep.ru/2015/07/09/ibm-7-nm/

вот об этом техпроцессе от ibm идёт речь в случае амд.

самсунг там вообще говорит что в лёгкую может 5нм( вероятно на арсениде галлия) интел тоже к 2022 4нм обещает.. в литографии проблем нет..

Thero ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Thero

5нм( вероятно на арсениде галлия)

Арсенид галлия тут каким боком? Топонормы с материалом пластины практически не связаны. А массовых недорогих чипов на арсениде галлия в обозримом будущем не будет.

greenman ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Thero

Насколько я помню, на кремнии теоретический предел что-то около 1 нм, практический предел как раз 5 нм. Дальше разные квантовые эффекты, преодоление которых не факт что возможно вообще.

Radius ★★★★
()
Ответ на: комментарий от Radius

там в статейке написано что не все элементы из кремния сделаны.. это было логичным.

Thero ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от greenman

при том что многие аналитики полагают что самсунг хочет делать 5нм не на кремнии( самсунг вроде молчит пока о деталях) арсенид галия называют как вариант которым могут заменить, остальное гадание на неизвестных входных данных.

Thero ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от greenman

не уверен что мнения могут быть пруфами. предположение о не кремниевом 5нм основаны на дорожной карте интел http://wccftech.com/intel-abandoning-silicon-7nm/

но при этом ТСМЦ хочет в 2018 сделать 7нм( тестовый старт линий уже на первую половину 2017 запланирован) а уже к 2020 сделать 5нм вероятно улучшив IBM овский SiGe.. https://en.wikipedia.org/wiki/Silicon-germanium

самсунг не так многословна в планах поэтому наверно стоило сразу говорить про ТСМЦ, но я вспомнил новость про самсунг..

Thero ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Thero

SiGe != GaAs

Там, конечно, и InGaAs/InP упомянут, развиваемый консорциумом, куда входит и Samsung. Посмотрим.

greenman ★★★★★
()
Последнее исправление: greenman (всего исправлений: 1)
Вы не можете добавлять комментарии в эту тему. Тема перемещена в архив.