LINUX.ORG.RU
решено ФорумTalks

Чо, посоны, ssd-ей накупили? Выкидывайте!

 mram,


1

1

https://www.mram-info.com/samsung-starts-shipping-28nm-embedded-mram-memory


Samsung announced that it has started to mass produce its first embedded MRAM, made using the company's 28nm FD-SOI process. Samsung says that its eMRAM memory module offers higher performance and endurance when compared to eFlash, and can be integrated into existing chips.

Samsung eMRAM image

Samsung details that its eMRAM is 1,000 times faster than its eFlash memory, and it does not require an erase cycle before writing data (unlike Flash memory). The voltage used is also lower - and in total eMRAM consumes 1/400 the energy compared to eFlash for the writing process. Samsung's MRAM capacity, though, is lower than its 3D Xpoint, DRAM and NAND flash.

Samsung did not disclose the capacity of its first eMRAM module and its first customer. As Samsung says that it will only tape out its 1Gb eMRAM in 2019, it means that this first eMRAM capacity is lower than 1Gb. Samsung also says that it plans to adopt its eMRAM for its 18nm process in the future too.


===================
Компания Samsung объявила о начале массового производства своей первой встроенной MRAM, созданной с использованием 28-нм технологии FD-SOI. Samsung говорит, что его модуль памяти eMRAM предлагает более высокую производительность и выносливость по сравнению с eFlash и может быть интегрирован в существующие чипы.

Изображение Samsung eMRAM

Samsung утверждает, что ее электронная память eMRAM в 1000 раз быстрее, чем ее память eFlash, и ей не требуется цикл стирания перед записью данных (в отличие от флэш-памяти). Используемое напряжение также ниже - и в общей сложности eMRAM потребляет 1/400 энергии по сравнению с eFlash для процесса записи. Тем не менее, емкость MRAM у Samsung ниже, чем у 3D Xpoint, DRAM и NAND-вспышек (I love google translate! 💖❤😍).

Samsung не раскрывает емкость своего первого модуля eMRAM и своего первого покупателя. Поскольку Samsung заявляет, что в 2019 году только 1 Гб eMRAM будет записывать на пленку, это означает, что эта первая емкость eMRAM ниже 1 Гб. Samsung также заявляет, что в будущем она планирует внедрить eMRAM для 18-нм техпроцесса.

Deleted

Последнее исправление: RTP (всего исправлений: 1)

Ответ на: комментарий от conalex

я много чего не видел. и тебе не советую))

Я к тому, что система не должна ставиться долго.

kirk_johnson ★☆
()

бяда-бяда, конечно. а то я все жесткие повыкидывал и накупил ssd'ей на 4тб и m2 под систему. ну ничего, еще 10 лет можно подождать, пока шанцунг до продакшона этот eMRAM допилит.

SevikL ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Deleted

HDD и есть грампластинка, по сути))

Зависит. Если у тебя терабайты данных, nvme тебя не спасет. Просто HDD плавно уполз в сегмент cold storage.

kirk_johnson ★☆
()
Последнее исправление: kirk_johnson (всего исправлений: 1)

eMRAM memory module offers higher performance and endurance when compared to eFlash

Ну, с capacity всё ясно. А количество циклов перезаписи ограничено?

Manhunt ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Manhunt

Вроде да. Там не вечные ячейки. Это я по памяти из предыдущих тредов.

Deleted
()
Ответ на: комментарий от conalex

я добавил железный рейд и по 1.5 минуты буковок наблюдаю всегда :)

dk-
()
Ответ на: комментарий от Stanson

Особенно, если учесть что MRAM не изнашивается

не изнашивается, но потеря намагниченности из-за термических флуктуаций имеет место и экспоненциально ускоряется с утоньшением ячейки. Так что есть MRAM ячейки, которые надо регенирировать каждую секунду (не шучу). А для тех, что вероятности исчисляются годами — довольно большие, что приводит к низкой плотности записи.

unanimous ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от unanimous

не изнашивается, но потеря намагниченности из-за термических флуктуаций имеет место и экспоненциально ускоряется с утоньшением ячейки.

Для HDD потеря намгниченности даже при современных плотностях записи - дело очень небыстрое.

Так что есть MRAM ячейки, которые надо регенирировать каждую секунду (не шучу). А для тех, что вероятности исчисляются годами — довольно большие, что приводит к низкой плотности записи.

Плотность записи на уровне HDD и её долговечность вполне приемлема. Надо просто подождать, пока технологии подтянут, чтобы терабайтные MRAM размером с HDD пошли в массы.

Stanson ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Stanson

Для HDD потеря намагниченности даже при современных плотностях записи - дело очень небыстрое.

Ты не понимаешь. Коэрцитивную силу можно сделать больше — что и делается в HDD. Но цена этого — время и поле, нужное для перемагничивания домена. Т.е. если делать ячейку MRAM, которая не будет, к примеру, размагничиваться 100 лет, то значения спиновой поляризации тока (тот самый spin-transfer torque) придется поднимать до таких значений, что либо это будет жрать много энергии, либо просто пробивать (разрушать) ячейку, либо еще перемагничивать соседей (read/write disturb). Вся совокупность проблем хоронит MRAM как принцип, так что решения, развитые на HDD нельзя перенести на MRAM напрямую.

unanimous ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от unanimous

Вся совокупность проблем хоронит MRAM как принцип, так что решения, развитые на HDD нельзя перенести на MRAM напрямую.

Ну HDD тоже не сразу осилили приличную плотность. И проблемы там, кстати, аналогичные были.

Stanson ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Stanson

Ну HDD тоже не сразу осилили приличную плотность. И проблемы там, кстати, аналогичные были.

Видишь ли в чем проблема... MRAM гораздо старше магнитной записи на блины, а воз всё ещё ныне недалеко уехал. Я к тому, что MRAM решает гораздо более сложную задачу: быть не только высокой плотности, но и *быстрой* персистентной памятью. HDD может позволять себе перемагничивать домены миллисекунды, а MRAM должна это делать за нано (1e-9 с, т.е. в миллион раз быстрее).

Я пристально слежу за прогрессом MRAM, в том числе и читаю исследовательские статьи уже лет 5. Шума время от времени много, а вот движения — мало.

unanimous ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от unanimous

MRAM гораздо старше магнитной записи на блины

Там же вроде карусель из цилиндрических магнитных доменов была. В современных MRAM принцип совершенно другой.

Я пристально слежу за прогрессом MRAM, в том числе и читаю исследовательские статьи уже лет 5. Шума время от времени много, а вот движения — мало.

Ну такая фигня практически со всеми «закрывающими» технологиями нынче.

Stanson ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Harald

Я говорю про уровень API, про концепцию, что программу нужно откуда-то «загружать» с «диска» из «файла», что результаты работы опять же нужно «сохранять» на «диск».

Наоборот, концепция «все есть файл», даже то, что не на диске. kirk_johnson все правильно сказал.

goingUp ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Stanson

Ну такая фигня практически со всеми «закрывающими» технологиями нынче.

Ну так вот и я о том же: очередная шумиха, а реального рывка нет. К сожалению, по тем публикациям, что в открытом доступе (в смысле — академическом, т.е. научным статьям, а не патентам, к которым я доступа не имею) непонятно, какой *инженерный* статус проблемы. Пару лет назад проблема масштабирования ниже 40 нм была в том, что катастрофически снижалось время термического размагничивания — на плотностях, интересных для конкуренции в flash-памятью, время удержания как раз падало до секунд, о чем я писал. Это всё ещё ОК, если мы хотим заменить DRAM — все регенерация каждую секунду много лучше миллисекунд — энергию сохраняем — но замена flash, как понимаешь, не выходит.

С другой стороны, появился SOT-MRAM (spin-orbit transfer torque), у которой ценой усложнения ячейки можно понизить токи записи-чтения, а значит можно использовать другие материалы с более высокими барьерами перемагничивания, но опять-таки, походу, этими проблемами занимаются реально считанные группы, большинство из которых — в индустрии и наверняка завязаны патентами, так что непонятно, когда всё это оформится в массовое производство.

Короче, чего-то в технологиях MRAM не хватает, чтобы сделать революцию, подобную, например, внедрению кремниевой электроники.

unanimous ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от NULL

смысл новости в том, что самсы очень тихо начали выпускать...
не хотим подрывать рынок традиционной флеш
и выпускаем первому клиенту память емкостью до 1Г(хз знает чего бита или байта). Но всё равно большие разницы.

Deleted
()

более высокую производительность и выносливость
не раскрывает емкость своего первого модуля eMRAM и своего первого покупателя

Более, лучшее, вот это вот всё. Формулировочки, да. Они такие.

TomBOY ★★
()

As Samsung says that it will only tape out its 1Gb eMRAM in 2019, it means that this first eMRAM capacity is lower than 1Gb

Для эмбеда конечно неплохо, но при чём тут SSD на десктопах, или серверах?

no-such-file ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от peregrine

Ходишь на гитхаб и бичуешь себя из-за говнокода во всяких программах? Странные у тебя развлечения.

Deleted
()

Что будет, если магнитом рядом провести? Эпоха флоппиков возвращается?

Quasar ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Harald

Если у этой MRAM производительность будет хотя бы как у DDR1, то уже считай разница исчезла.

Quasar ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Deleted

Этот POSIX и для юзера важен, так как он описывает организацию системы вплоть до взаимодействия с юзером. То, что он графики не касается - а нафига?

Quasar ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Harald

Никакой не костылинг, а необходимость. Если ОС будет разделять ресурсы под хранение файлов и выполнение программ (что в принципе необходимо уже в целях безопасности), то всё будет замечательно. Концепция «загружать с диска в память» - лучшая и нужная всем без исключения. А с единообразной памятью на всё про всё открываются колоссальные возможности для использования этой концепции полноценно.

Quasar ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от dogbert

Optane - это маркетинговый бред. Ничем не отличается от остальной флеш-памяти.

Quasar ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от unanimous

MRAM гораздо старше магнитной записи на блины

Вообще-то как раз магнитная хапись на блины гораздо старше MRAM. Сама MRAM впервые в 90-х годах была создана даже в теории.

Quasar ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Harald

Загружать программу для выполнения не нужно, когда она уже в памяти лежит

Выполнять единственный экземпляр программы - идиотизм. Так или иначе хотя бы имитация диска необходима, иначе система нежизнеспособна по фундаментальным причинам.

Quasar ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Harald

Это работает только в одном единственном случае: когда требуется сделать однозадачную железяку, а на Verilog писать и шить результат в FPGA не хочется. В общем случае в embedded это не работает. Там где, нужно что-то серьёзнее однозадачной железки, ставят уже ОС, которая грузится и выполняет свои задачи.

Quasar ★★★★★
()
Последнее исправление: Quasar (всего исправлений: 1)
Ответ на: комментарий от Quasar

при чём тут однозадачность вообще, как по-твоему в линуксе из одного экземпляра бинарника много процессов запускается?

Harald ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Quasar

я не буду говорить утвердительно, не не кажется ли мне, что окружение ГНУ и так совместимо с этим самым posix, по мере возможностей?

Deleted
()
Ответ на: комментарий от Harald

Ну и в чем половая разница между «загрузить файл-редактировать сохранить» и «сделать копию-редактировать-сохранить»?

hungry_ewok
()
Ответ на: комментарий от Harald

Т.е. ты установил программу, запустил её, и всё, она существует только в состоянии исполнения, с однажды переданными ей данными? Это наркомания какая-то

Deleted
()
Ответ на: комментарий от Deleted

состояние программы это одно, её исполняемый код это другое. Первое уникально для каждого процесса, второе можно выполнять прям на месте, не загружая из файла в память

Harald ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Harald

Ну вот и получается то что я описал выше. Чтобы перезапустить программу - нужно её переустановить.

Deleted
()
Ответ на: комментарий от Deleted

нет, не нужно

чтоб запускать и перезапускать программу в 100500 экземплярах, её код никуда двигать не нужно

это диска в оперативную память нужно, потому что физически напрямую с диска нельзя её выполнять, а вот с флеша уже можно, если флеш память к шине адреса процессора подключена напрямую, а не через дисковые интерфейсы, как SSD

Harald ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Harald

Ты пьян что ли? Если у тебя код выполняется прямо там же, где хранится, то первый же запуск программы изменяет её состояние, и перезапустить её ты уже не сможешь

Deleted
()
Ответ на: комментарий от Deleted

запуск программы код не меняет (в норме), состояние хранится процессором, операционной системой, непосредственно код не модифицируется, он read-only

Harald ★★★★★
()
Ответ на: комментарий от Harald

Да, это я как-то упустил из виду. А если баг?

Deleted
()
Ответ на: комментарий от Harald

ну и кроме кода есть ещё константные данные, их копировать не нужно

Harald ★★★★★
()
Вы не можете добавлять комментарии в эту тему. Тема перемещена в архив.