Для ликвидации технологического отставания необходимо создать собственные производства уровня 32–16 нм. И для этого в России появились реальные предпосылки. А научно-промышленные центры России уже имеют солидный задел по EUV-литографии и плазменным процессам, созданы образцы технологического оборудования
Годы Этапы
2010–2017 Создание DUV-наносканеров на λ=193 нм с зеркальнолинзовым ПО (NA≥0,9), разрешение 45 нм и 32 нм
2014 Экспериментальный образец с иммерсией, разрешение 45 нм
2014 Опытно-промышленный образец с иммерсией, разрешение 45 нм
2016 Экспериментальный образец с иммерсией, разрешение 32 нм
2017 Опытно-промышленный образец с иммерсией, разрешение 32 нм
2010–2017 Создание EUV- наносканеров на λ=13,5 нм с зеркальным ПО, М6 (NA≥0,3), разрешение 16–22 нм
2014 Лабораторно-экспериментальный образец степпера с ПО М4 (NA=0,5), разрешение 10–16 нм, поле изображения 2,0×2,0 мм2
2017 Опытно-промышленный образец с ПО, М6 (NA≥0,3),
разрешение 16–20 нм, поле изображения 26 ×32 мм2
Соисполнители: НПК ГОИ,НИТИОМ ГОИ,ГУ ИТМО,МГУ НИВЦ,ФТИ РАН,ЦФП ИОФ РАН,ОАО «НИИМЭ и Микрон»,ФТИАН,БГТУ, ИФМ РАН,ТРИНИТИ, ОИЯИ,МГУ,ИС РАН
Прям Россия, которую мы потеряли. Прямой аналог лунной базы, которая с 2015 г. работает.