LINUX.ORG.RU

Износ SSD


7

1

У меня есть вопрос к владельцам SSD. Даже несколько. К тем, кто пользуется уже продолжительное время.

1) Приходилось ли воочию наблюдать эффект износа флеш-памяти?
2) Если да, то как вы до этого докатились?
3) Что за модель?
4) Правда ли, что там скорость I/O действительно такая, что можно и забыть, что это не tmpfs полностью в оперативке?
5) Борются ли современные ядра с деградацией скорости записи (командой TRIM) автоматом, или это какой-то утилитой надо напоминать?

Я неспешно посматриваю на какой-нибудь Crucial или Samsung, но вот все же сомневаюсь, достойна ли овчинка выделки. И не придется ли брать чемоданчик с обычными винтами в комплект для бэкапов.

Перемещено tazhate из talks

★★★★★
Ответ на: комментарий от n_play

NOR делается так, что ему ECC не нужен. весь объем будет с очень хорошей вероятностью жив долгое время, без каких либо проблем. Но NOR тормозной и дорогой. Годен только для фирмвари особо мелкого эмбеддеда.
NAND, напротив, имеет жирную OOB область для ECC, и определенное количество блоков может быть плохими в нанде с завода. (Если 6й байт OOB не в нуле - factory bad). Таким образом удается увеличить выход годных, и снизить стоимость.

AiFiLTr0 ★★★★★
()
Последнее исправление: AiFiLTr0 (всего исправлений: 1)
Ответ на: комментарий от n_play

окай, если всё так и есть, то почему тогда на современных NAND флешках есть область для ECC, а на NOR нету?

дык NOR на порядки меньше и транзисторы там больше размеров. Очевидно, что с такого огромного транзистора за 1000 лет ничего не стечёт. А в NAND размер затвора уже сравним с размером атома, и сл-но с числом электронов/дырок. Приходится учитывать тот факт, что они поштучно на этом глобусе встречаются. Т.е. понятие «заряд» дискретное, и на него теория вероятности влияет. Для NOR вероятностями можно пренебрегать, и ECC не нужно (встроенное). У меня всего за месяц уже

204 Soft_ECC_Correction     0x001c   120   120   000    Old_age   Offline      -       21349005

drBatty ★★
()
Ответ на: комментарий от drBatty

http://www.tomshardware.com/news/MLC-NAND-mSATA-19nm,21500.html

http://www.dailytech.com/Spansion Pairs With Chinas XMC for HighDensity 32 nm...

19 nm NAND vs. 45 nm NOR. Они действительно настолько крупные?

Только почему-то и NAND 10-летней давности уже был с областями ECC, когда технологии были точно некрупнее, а на одном уровне.

n_play
()
Ответ на: комментарий от n_play

19 nm NAND vs. 45 nm NOR. Они действительно настолько крупные?

крупнее, причём намного больше, чем ты думаешь. Посчитай, сколько кубических нм занимает один эл-т. NAND они объёмные AFAIK, и какгбэ одни эл-ты намного сильнее влияют на другие.

Ну и потом NOR никто почти никогда не пишет - типичный юзкейс - забить на заводе прошивку. Возможно (не обязательно) пользователю придётся её обновить, если найдена и исправлена какая-то критичная именно для этого юзера ошибка. Я вот компьютеров довольно много собрал, но прошивку на мамки почти никогда не менял - не нужно. Вроде один раз всего, там 300° температуру писало. Мамка довольно старая, а камень довольно новый. Обновил прошивку - всё заработало как надо. Но это не типичный случай ИМХО.

Только почему-то и NAND 10-летней давности уже был с областями ECC, когда технологии были точно некрупнее, а на одном уровне.

они с 1989го года были _другие_, в NOR всегда было 3.5 байта на кристалл. Просто в начале 90х там действительно было 3.5 байта, и эти флешки были никому не нужны(хотя я в свой спектрум вставил одну).

drBatty ★★
()
Ответ на: комментарий от n_play

19 nm NAND vs. 45 nm NOR.

я прошёлся по ссылкам, и ИМХО думаю, что так вот просто нельзя сравнивать. Норму техпроцесса можно сравнивать лишь тогда, когда технология одинаковая. Т.е. если ты сравниваешь например пару чипов DRAM. А в разных технологиях и нанометры «разные».

drBatty ★★
()
Ответ на: комментарий от drBatty

если правильно понял, то это размеры затворов транзиторов. Что там ещё можно сравнивать? то что ячейка конструктивно другая и там побольше требуется транзисторов - это понятно, но речь о том, что размеры транзисторов там примерно соотвествуют

n_play
()
Ответ на: комментарий от n_play

если правильно понял, то это размеры затворов транзиторов. Что там ещё можно сравнивать? то что ячейка конструктивно другая и там побольше требуется транзисторов - это понятно, но речь о том, что размеры транзисторов там примерно соотвествуют

фишка в том, что NOR AFAIK делают в одном техпроцессе с кучей всякого разного. Например если это ОЭВМ, т.е. считай полностью функциональный комп. Ещё и с ППЗУ. Потому размеры там не такие как можно, а такие, как получится. Определяются другими эл-и. А вот NAND делают _только_ для памяти, и больше там считай ничего и нет (контроллер обычно отдельно). Потому в NAND плотность намного выше. Если они даже такие же, то значит упакованы в NAND в разы плотнее. Возможно также, что в этом NOR число циклов записи 1 или 2 (ибо больше и не надо). Конечно в NAND по любому такое число циклов - не нужно.

drBatty ★★
()
Ответ на: комментарий от drBatty

по ссылке там анонсируются исключительено single die 8GB NOR чипы, без всяких несуразностей. Плотность выше всего в 2 раза (википедии писано что nand требует около 60% от того что нужно NOR). Размеры технологий примерно тоже. В итоге всё сходится.

http://www.theinquirer.net/inquirer/news/2225451/samsung-fabs-64gb-nand-chips...

Вот это получается в 4 раза плотнее по тенхологии (10nm против 45nm). Плюс почти в 2 раза плотнее из-за топологии (NAND vs. NOR). Вот и получается 8 vs 64.

n_play
()
Ответ на: комментарий от n_play

Вот это получается в 4 раза плотнее по тенхологии (10nm против 45nm). Плюс почти в 2 раза плотнее из-за топологии (NAND vs. NOR). Вот и получается 8 vs 64.

возможно. Раньше соотношение было иное. И да, новость десятилетний давности: http://www.theinquirer.net/inquirer/news/1014818/nand-memory-to-overtake-nor-... ИЧСХ - действительно обогнали! ☺

А вообще у NOR всегда была узкая ниша, куда его сейчас успешно и задвинули, я думал оно там и не развивается вовсе, а вот смотри-ка…

drBatty ★★
()
Вы не можете добавлять комментарии в эту тему. Тема перемещена в архив.