В этом месяце IBM отметила 20-летний юбилей проекта разработки магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM). Изначально цель ставилась в управлении ячейкой при помощи электромагнитного поля. Сейчас проект трансформировался в разработку ячейки памяти с записью информации при помощи передачи момента вращения спина электроном. Такой тип памяти получил название STTMRAM (spin-transfertorqueMRAM).
Можно сказать, что разработка уже близка к коммерческому запуску. Сейчас основная задача решена, специалисты оптимизируют основную технологию и вспомогательные инструменты. Главным достижением работы с Samsung стал перевод структуры ячейки из горизонтальной в вертикальную.
Сейчас уже готов тестовый образец памяти STTMRAM. Размер рабочей части ячейки составляет 11 нм. Соответственно, память такого типа будет производиться по 10-нм техпроцессу. Скорость доступа к ячейке составляет около 10 нс. По этому параметру новая память стоит рядом с DRAM, а не NAND-флэш. STTMRAM позиционируется как основная память с практически бесконечным ресурсом на перезапись.
Еще одним достоинством новинки является пониженное в сравнении с традиционными типами памяти энергопотребление — на запись требуется всего 7,5 мкА.
Технология переноса спинового момента (spin-torque-transfer-STT) или переключения с помощью переноса спина использует электроны с определенным состоянием спина (т.н. поляризованных электронов). При прохождении через ферромагнитный слой эти электроны изменяют собственный магнитный момент слоя и переориентируют его намагниченность… Такой способ позволяет уменьшить величину тока, которая нужна для записи данных в ячейку памяти. Потребление энергии при чтении и записи становится практически одинаковым. В случае традиционной MRAM технологии при увеличении плотности размещения ячеек памяти требуется увеличить и ток, необходимый для записи. Новая технология будет актуальна для техпроцесса 65 нм и меньше.
У магниторезистивной памяти примерно равное с SRAM быстродействие и такая же плотность ячеек. Но энергопотребление у MRAM гораздо ниже, чем у DRAM. Кроме того, как говорилось выше, эта память не деградирует с течением времени. В комплексе эти свойства магниторезистивной памяти делают ее действительно универсальной. Она может заменить сразу несколько типов памяти, включая SRAM, DRAM, EEPROM и Flash. Это приведет к унификации памяти на различных устройствах и в разных типах накопителей.
«Благодаря своим преимуществам чип MRAM может заменить сочетание SRAM и flash-памяти в некоторых типах устройств, работающих с не слишком ресурсоемкими приложениями. Но наша долгосрочная цель — разработка решения на основе SpinTorqueMRAM для серверов IBM», — говорит доктор Дэниел Ворледж (Dr.DanielWorledge), один из руководителей проекта по разработке памяти нового типа в IBMResearch.





Ответ на:
комментарий
от Stil

Ответ на:
комментарий
от EXL


Ответ на:
комментарий
от Deleted

Ответ на:
комментарий
от lenin386

Ответ на:
комментарий
от Deleted


Ответ на:
комментарий
от Siado







Ответ на:
комментарий
от ptarh

Ответ на:
комментарий
от Deleted

Ответ на:
комментарий
от MrClon


Ответ на:
комментарий
от lenin386

Ответ на:
комментарий
от KRoN73

Ответ на:
комментарий
от greenman

Ответ на:
комментарий
от KRoN73

Ответ на:
комментарий
от KRoN73


Ответ на:
комментарий
от greenman

Ответ на:
комментарий
от torvn77

Ответ на:
комментарий
от Deleted

Ответ на:
комментарий
от dk-

Ответ на:
комментарий
от torvn77

Ответ на:
комментарий
от dk-

Ответ на:
комментарий
от torvn77

Ответ на:
комментарий
от torvn77

Ответ на:
комментарий
от Deleted


Ответ на:
комментарий
от Deleted


Вы не можете добавлять комментарии в эту тему. Тема перемещена в архив.
Похожие темы
- Форум Чо, посоны, ssd-ей накупили? Выкидывайте! (2019)
- Форум Современная техника — говно, Линукс — говно (2021)
- Форум Недолента, недо-SSD от Huawei. Вот на что люди идут, чтобы HDD не переизобретать (2024)
- Форум Современные контроллеры для бюджетных SSD (2016)
- Форум Почему современный web - такое говно? (2014)
- Форум В ДВФУ разработали платформу для развития наноэлектроники и квантовых процессоров (2020)
- Форум Кортежи в современных ЯП и устаревший синтаксис (2019)
- Форум [нытиктред] почему современные ноуты такое унылое говно? (2010)
- Форум Устаревшие темы (2011)
- Форум здравствуйте! (2015)